WNSCM80120WQ

Hersteller Produktnummer:

WNSCM80120WQ

Product Overview

Hersteller:

WeEn Semiconductors

Teilenummer:

WNSCM80120WQ-DG

Beschreibung:

WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 1200 V 42A (Ta) 230W (Ta) Through Hole TO-247-3

Inventar:

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WNSCM80120WQ Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

WeEn Semiconductors

Verpackung

Bulk

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

1200 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

42A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

20V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

vgs(th) (max.) @ id

4.5V @ 6mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

59 nC @ 20 V

Vgs (Max)

+25V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1350 pF @ 1000 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

TO-247-3

Paket / Koffer

TO-247-3

Basis-Produktnummer

WNSCM80120

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

600

Andere Namen

934072808127

1740-WNSCM80120WQ

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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