PHE13007,127
Hersteller Produktnummer:

PHE13007,127

Product Overview

Hersteller:

WeEn Semiconductors

Teilenummer:

PHE13007,127-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 400V 8A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 80 W Through Hole TO-220AB

Inventar:

4575 Stück Neu Original Auf Lager
13480044
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PHE13007,127 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
WeEn Semiconductors
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
400 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
350mV @ 1A, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
200µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
8 @ 2A, 5V
Leistung - Max
80 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Basis-Produktnummer
PHE13

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PHE13007

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
PHE13007127
PHE13007-ND
PHE13007,127-ND
1740-1443
934055555127
568-9756-5
568-9756-5-ND
PHE13007

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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