BUJ303B,127
Hersteller Produktnummer:

BUJ303B,127

Product Overview

Hersteller:

WeEn Semiconductors

Teilenummer:

BUJ303B,127-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 400V 5A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 5 A 100 W Through Hole TO-220AB

Inventar:

13481267
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BUJ303B,127 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
WeEn Semiconductors
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
400 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 1A, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
23 @ 800mA, 3V
Leistung - Max
100 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Basis-Produktnummer
BUJ303

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
BUJ303B,127-ND
BUJ303B127
BUJ303B
BUJ303B-ND
568-7486-5-ND
568-7486-5
1740-1413
934057075127

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FJP3305H2TU
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1946
TEILNUMMER
FJP3305H2TU-DG
Einheitspreis
0.51
ERSATZART
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Teilenummer
BUL743
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
1937
TEILNUMMER
BUL743-DG
Einheitspreis
0.80
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