Hersteller Produktnummer:
SISS23DN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SISS23DN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventar:
13506 Stück Neu Original Auf Lager
13063820
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SISS23DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8840 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8S
Basis-Produktnummer
SISS23
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SISS23DN-T1-GE3CT
SISS23DN-T1-GE3DKR
SISS23DN-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH info available upon request
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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