Hersteller Produktnummer:
SIHF35N60E-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHF35N60E-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
13006350
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Menge
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SIHF35N60E-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
E
Verpackung
Tube
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
94mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2760 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 Full Pack
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
SIHF35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Alternative Modelle
Teilenummer
STF43N60DM2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
911
TEILNUMMER
STF43N60DM2-DG
Einheitspreis
2.82
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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