SI7190ADP-T1-RE3
Hersteller Produktnummer:

SI7190ADP-T1-RE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI7190ADP-T1-RE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 4.3A (Ta), 14.4A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

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SI7190ADP-T1-RE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
ThunderFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
860 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SI7190

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7190ADP-T1-RE3CT
2266-SI7190ADP-T1-RE3TR
SI7190ADP-T1-RE3TR
SI7190ADP-T1-RE3DKR
SI7190ADP-RE3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH info available upon request
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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