Hersteller Produktnummer:
SI5936DU-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI5936DU-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Inventar:
6499 Stück Neu Original Auf Lager
13060395
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SI5936DU-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Hersteller
Vishay Siliconix
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
320pF @ 15V
Leistung - Max
10.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® ChipFet Dual
Basis-Produktnummer
SI5936
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI5936DU-T1-GE3DKR
SI5936DU-T1-GE3CT
SI5936DU-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH info available upon request
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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