Hersteller Produktnummer:
SI4666DY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4666DY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
13054439
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SI4666DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1145 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4666
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4666DY-T1-GE3CT
SI4666DY-T1-GE3TR
SI4666DY-T1-GE3DKR
SI4666DYT1GE3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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