Hersteller Produktnummer:
IRLD024PBF
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRLD024PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventar:
1136 Stück Neu Original Auf Lager
13053827
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IRLD024PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Verpackung
Tube
Status des Teils
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.5A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
870 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
4-HVMDIP
Paket / Koffer
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Basis-Produktnummer
IRLD024
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Andere Namen
*IRLD024PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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