Hersteller Produktnummer:
SUP40P10-43-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SUP40P10-43-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 36A (Tc) 2W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12920426
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SUP40P10-43-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4600 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SUP40
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF5210PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
6302
TEILNUMMER
IRF5210PBF-DG
Einheitspreis
1.00
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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