Hersteller Produktnummer:
SUP25P10-138-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SUP25P10-138-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 16.3A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 16.3A (Tc) 3.1W (Ta), 73.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12916054
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SUP25P10-138-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2100 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 73.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SUP25
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB4610PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
936
TEILNUMMER
IRFB4610PBF-DG
Einheitspreis
0.89
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
HUF75645P3
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1488
TEILNUMMER
HUF75645P3-DG
Einheitspreis
1.15
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPP12CN10LGXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
886
TEILNUMMER
IPP12CN10LGXKSA1-DG
Einheitspreis
0.73
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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