SUP10250E-GE3
Hersteller Produktnummer:

SUP10250E-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SUP10250E-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 63A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

290 Stück Neu Original Auf Lager
12966012
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SUP10250E-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
ThunderFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7.5V, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SUP10250

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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