Hersteller Produktnummer:
SUD35N10-26P-BE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SUD35N10-26P-BE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
1835 Stück Neu Original Auf Lager
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SUD35N10-26P-BE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SUD35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
742-SUD35N10-26P-BE3TR
742-SUD35N10-26P-BE3DKR
742-SUD35N10-26P-BE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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