SQS944ENW-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQS944ENW-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQS944ENW-T1_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8W Dual

Inventar:

12918507
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SQS944ENW-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
615pF @ 25V
Leistung - Max
27.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8W Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8W Dual
Basis-Produktnummer
SQS944

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQS944ENW-T1_GE3TR
SQS944ENW-T1_GE3CT
SQS944ENW-T1_GE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
nexperia

BUK7K12-60EX

MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D

nexperia

BUK7K15-80EX

MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D

nexperia

PMDPB70EN,115

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6HUSON

vishay-siliconix

SUD50NP04-77P-T4E3

MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4