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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SQS944ENW-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQS944ENW-T1_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8W Dual
Inventar:
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SQS944ENW-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
615pF @ 25V
Leistung - Max
27.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8W Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8W Dual
Basis-Produktnummer
SQS944
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SQS944ENW-T1_GE3
HTML-Datenblatt
SQS944ENW-T1_GE3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQS944ENW-T1_GE3TR
SQS944ENW-T1_GE3CT
SQS944ENW-T1_GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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