Hersteller Produktnummer:
SQS660CENW-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQS660CENW-T1_GE3-DG
Beschreibung:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 18A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Inventar:
3967 Stück Neu Original Auf Lager
12954772
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SQS660CENW-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.2mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1950 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8W
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8W
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SQS660CENW-T1_GE3TR
742-SQS660CENW-T1_GE3CT
742-SQS660CENW-T1_GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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