SQS484EN-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQS484EN-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQS484EN-T1_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 16A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventar:

12882 Stück Neu Original Auf Lager
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SQS484EN-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1855 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer
SQS484

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQS484EN-T1-GE3-DG
SQS484EN-T1_GE3DKR
SQS484EN-T1_GE3CT
SQS484EN-T1_GE3TR
SQS484EN-T1-GE3
SQS484EN-T1_GE3-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SQS484CENW-T1_GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
2100
TEILNUMMER
SQS484CENW-T1_GE3-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SQS484EN-T1_BE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
10623
TEILNUMMER
SQS484EN-T1_BE3-DG
Einheitspreis
0.30
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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