Hersteller Produktnummer:
SQS180ELNW-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQS180ELNW-T1_GE3-DG
Beschreibung:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 82A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8SLW
Inventar:
9033 Stück Neu Original Auf Lager
12960026
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SQS180ELNW-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® GenIV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3689 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
119W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8SLW
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8SLW
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SQS180ELNW-T1_GE3TR
742-SQS180ELNW-T1_GE3CT
742-SQS180ELNW-T1_GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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