Hersteller Produktnummer:
SQP50N06-09L_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQP50N06-09L_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12920534
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SQP50N06-09L_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3065 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SQP50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SQP50N06-09L_GE3DKRINACTIVE
SQP50N06-09L_GE3DKR
SQP50N06-09L_GE3CT-DG
742-SQP50N06-09L_GE3
SQP50N06-09L_GE3TR-DG
SQP50N06-09L_GE3-DG
SQP50N06-09L_GE3TR
SQP50N06-09L_GE3CTINACTIVE
SQP50N06-09L_GE3CT
SQP50N06-09L_GE3DKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB3607PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3741
TEILNUMMER
IRFB3607PBF-DG
Einheitspreis
0.41
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRF1018EPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2798
TEILNUMMER
IRF1018EPBF-DG
Einheitspreis
0.42
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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