Hersteller Produktnummer:
SQP100P06-9M3L_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQP100P06-9M3L_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12786238
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SQP100P06-9M3L_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
12010 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
187W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SQP100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SQP100P06-9M3L_GE3CT-DG
SQP100P06-9M3L_GE3CT
SQP100P06-9M3L_GE3DKR-DG
SQP100P06-9M3L_GE3TR
SQP100P06-9M3L_GE3DKR
SQP100P06-9M3L_GE3TR-DG
SQP100P06-9M3L_GE3TRINACTIVE
SQP100P06-9M3L_GE3DKRINACTIVE
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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