Hersteller Produktnummer:
SQM90142E_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQM90142E_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 95A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12787136
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SQM90142E_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SQM90142
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
SQM90142E_GE3CT
SQM90142E_GE3TR
SQM90142E_GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB156N22NFDATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1051
TEILNUMMER
IPB156N22NFDATMA1-DG
Einheitspreis
3.78
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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