SQM120N10-3M8_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQM120N10-3M8_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQM120N10-3M8_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

300 Stück Neu Original Auf Lager
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SQM120N10-3M8_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7230 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SQM120

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SQM120N10-3M8_GE3
HTML-Datenblatt
SQM120N10-3M8_GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
SQM120N10-3M8_GE3DKR
SQM120N10-3M8_GE3-DG
SQM120N10-3M8_GE3CT
SQM120N10-3M8_GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IPB049N08N5ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1859
TEILNUMMER
IPB049N08N5ATMA1-DG
Einheitspreis
0.92
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
BUK765R0-100E,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
15619
TEILNUMMER
BUK765R0-100E,118-DG
Einheitspreis
1.73
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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