SQM110P06-8M9L_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQM110P06-8M9L_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQM110P06-8M9L_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 110A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

1265 Stück Neu Original Auf Lager
12919740
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SQM110P06-8M9L_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7450 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
230W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SQM110

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
SQM110P06-8M9L_GE3-DG
SQM110P06-8M9L_GE3TR
SQM110P06-8M9L_GE3CT
SQM110P06-8M9L_GE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SI7434DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI5479DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 16A PPAK

vishay-siliconix

SI5476DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET

vishay-siliconix

SI1065X-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6