Hersteller Produktnummer:
SQJQ466E-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQJQ466E-T1_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventar:
12920446
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SQJQ466E-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10210 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer
PowerPAK® 8 x 8
Basis-Produktnummer
SQJQ466
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
SQJQ466E-T1 GE3
SQJQ466E-T1_GE3DKR
SQJQ466E-T1_GE3CT
SQJQ466E-T1_GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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