SQJB68EP-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQJB68EP-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQJB68EP-T1_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 11A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Inventar:

17229 Stück Neu Original Auf Lager
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SQJB68EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
92mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
280pF @ 25V
Leistung - Max
27W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer
SQJB68

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQJB68EP-T1_GE3CT
SQJB68EP-T1_GE3TR
SQJB68EP-T1_GE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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