SQJ886EP-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQJ886EP-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQJ886EP-T1_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

5932 Stück Neu Original Auf Lager
12917474
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
MoYT
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SQJ886EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 15.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2922 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
55W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SQJ886

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQJ886EP-T1_GE3-DG
SQJ886EP-T1-GE3
SQJ886EP-T1-GE3-DG
SQJ886EP-T1_GE3DKR
SQJ886EP-T1_GE3CT
SQJ886EP-T1_GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SIHG20N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC

vishay-siliconix

SI4178DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

vishay-siliconix

SI4628DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 38A 8SO

vishay-siliconix

SI4384DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 10A 8SO