Hersteller Produktnummer:
SQJ459EP-T2_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQJ459EP-T2_GE3-DG
Beschreibung:
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 52A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventar:
4395 Stück Neu Original Auf Lager
13000594
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SQJ459EP-T2_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4586 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8 Dual
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SQJ459EP-T2_GE3DKR
742-SQJ459EP-T2_GE3TR
742-SQJ459EP-T2_GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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