Hersteller Produktnummer:
SQJ422EP-T1_BE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQJ422EP-T1_BE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 75A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
8873 Stück Neu Original Auf Lager
12945846
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SQJ422EP-T1_BE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4660 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SQJ422
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SQJ422EP-T1_BE3CT
742-SQJ422EP-T1_BE3TR
742-SQJ422EP-T1_BE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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