Hersteller Produktnummer:
SQD50N06-09L_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQD50N06-09L_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
4440 Stück Neu Original Auf Lager
12786089
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SQD50N06-09L_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3065 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SQD50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
SQD50N06-09L_GE3CT
SQD50N06-09L_GE3TR
SQD50N06-09L_GE3DKR
SQD50N06-09L-GE3
SQD50N06-09L-GE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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