SQ4949EY-T1_BE3
Hersteller Produktnummer:

SQ4949EY-T1_BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQ4949EY-T1_BE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 7.5A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

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SQ4949EY-T1_BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1020pF @ 25V
Leistung - Max
3.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
SQ4949

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SQ4949EY-T1_BE3
HTML-Datenblatt
SQ4949EY-T1_BE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
742-SQ4949EY-T1_BE3TR
SQ4949EY-T1 BE3
742-SQ4949EY-T1_BE3CT
742-SQ4949EY-T1_BE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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