SQ4435EY-T1_BE3
Hersteller Produktnummer:

SQ4435EY-T1_BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQ4435EY-T1_BE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 15A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

2500 Stück Neu Original Auf Lager
12954853
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SQ4435EY-T1_BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2170 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SQ4435

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
742-SQ4435EY-T1_BE3TR
742-SQ4435EY-T1_BE3DKR
742-SQ4435EY-T1_BE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SI1330EDL-T1-BE3

MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3

nxp-semiconductors

BUK9230-55A/C1118

N-CHANNEL POWER MOSFET

vishay-siliconix

SI4462DY-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AONS36326

MOSFET N-CH 5X6 DFN