Hersteller Produktnummer:
SQ2398ES-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQ2398ES-T1_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 1.6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
224582 Stück Neu Original Auf Lager
12786737
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SQ2398ES-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
152 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SQ2398
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQ2398ES-T1_GE3DKR
SQ2398ES-T1_GE3TR
SQ2398ES-T1_GE3CT
SQ2398ES-T1_GE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SQJ463EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
SQ2361AEES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
