Hersteller Produktnummer:
SQ2361EES-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQ2361EES-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 2.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
12917274
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SQ2361EES-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
545 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SQ2361
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQ2361EEST1GE3
SQ2361EES-T1-GE3DKR
SQ2361EES-T1-GE3CT
SQ2361EES-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDN5618P
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
31131
TEILNUMMER
FDN5618P-DG
Einheitspreis
0.11
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SQ2361ES-T1_GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
67194
TEILNUMMER
SQ2361ES-T1_GE3-DG
Einheitspreis
0.19
ERSATZART
Direct
Teilenummer
SQ2361AEES-T1_GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
69168
TEILNUMMER
SQ2361AEES-T1_GE3-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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