Hersteller Produktnummer:
SQ2318AES-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQ2318AES-T1_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 8A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
30231 Stück Neu Original Auf Lager
12787703
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SQ2318AES-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
555 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SQ2318
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQ2318AES-T1_GE3DKR
SQ2318AES-T1_GE3CT
SQ2318AES-T1_GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIUD412ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
SQ2315ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
SIHB30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
