Hersteller Produktnummer:
SIZF906BDT-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIZF906BDT-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 36A 8PWRPAIR
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Inventar:
28356 Stück Neu Original Auf Lager
12949192
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIZF906BDT-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Leistung - Max
4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Gerätepaket für Lieferanten
8-PowerPair® (6x5)
Basis-Produktnummer
SIZF906
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIZF906BDT-T1-GE3CT
742-SIZF906BDT-T1-GE3DKR
742-SIZF906BDT-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMTH6016LPD-13
MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
DMC31D5UDJ-7B
MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
ZXMHC3A01N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
