SIZ730DT-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIZ730DT-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIZ730DT-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6PWRPAIR
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™

Inventar:

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SIZ730DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A, 35A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
830pF @ 15V
Leistung - Max
27W, 48W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-PowerPair™
Gerätepaket für Lieferanten
6-PowerPair™
Basis-Produktnummer
SIZ730

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIZ730DT-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SIZ730DT-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIZ730DT-T1-GE3TR
SIZ730DT-T1-GE3CT
SIZ730DT-T1-GE3DKR
SIZ730DTT1GE3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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