SIUD402ED-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIUD402ED-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIUD402ED-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806

Inventar:

24870 Stück Neu Original Auf Lager
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SIUD402ED-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.2 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
16 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 0806
Paket / Koffer
PowerPAK® 0806
Basis-Produktnummer
SIUD402

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIUD402ED-T1-GE3-DG
742-SIUD402ED-T1-GE3TR
742-SIUD402ED-T1-GE3DKR
742-SIUD402ED-T1-GE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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