Hersteller Produktnummer:
SISS65DN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SISS65DN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 25.9A (Ta), 94A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventar:
12786336
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SISS65DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen III
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25.9A (Ta), 94A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4930 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8S
Basis-Produktnummer
SISS65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SISS65DN-T1-GE3DKR
SISS65DN-T1-GE3CT
SISS65DN-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH info available upon request
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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