Hersteller Produktnummer:
SISS60DN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SISS60DN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventar:
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SISS60DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.31mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
85.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3960 pF @ 15 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8S
Basis-Produktnummer
SISS60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SISS60DN-T1-GE3DKR
SISS60DN-T1-GE3TR
742-SISS60DN-T1-GE3TR
SISS60DN-T1-GE3TR-DG
SISS60DN-T1-GE3DKR
SISS60DN-T1-GE3CT-DG
SISS60DN-T1-GE3DKR-DG
SISS60DN-T1-GE3CT
742-SISS60DN-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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