Hersteller Produktnummer:
SISS5110DN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SISS5110DN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 13.4A (Ta), 46.4A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventar:
12996703
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SISS5110DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.4A (Ta), 46.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
920 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8S
Basis-Produktnummer
SISS5110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SISS5110DN-T1-GE3DKR
742-SISS5110DN-T1-GE3TR
742-SISS5110DN-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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