Hersteller Produktnummer:
SISH615ADN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SISH615ADN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 22.1A (Ta), 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventar:
71932 Stück Neu Original Auf Lager
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SISH615ADN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen III
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22.1A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5590 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8SH
Basis-Produktnummer
SISH615
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SISH615ADN-T1-GE3CT
SISH615ADN-T1-GE3TR
SISH615ADN-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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