Hersteller Produktnummer:
SISH410DN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SISH410DN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 22A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventar:
2190 Stück Neu Original Auf Lager
12917570
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SISH410DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1600 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8SH
Basis-Produktnummer
SISH410
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SISH410DN-T1-GE3TR
SISH410DN-T1-GE3CT
SISH410DN-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SUP85N03-3M6P-GE3
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
SIHF6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
SIE812DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
