SISH108DN-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SISH108DN-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SISH108DN-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH

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5983 Stück Neu Original Auf Lager
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SISH108DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8SH
Basis-Produktnummer
SISH108

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SISH108DN-T1-GE3TR
SISH108DN-T1-GE3CT
SISH108DN-T1-GE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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