SISF20DN-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SISF20DN-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SISF20DN-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 14A (Ta), 52A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual

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SISF20DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Ta), 52A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1290pF @ 30V
Leistung - Max
5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Basis-Produktnummer
SISF20

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SISF20DN-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SISF20DN-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SISF20DN-T1-GE3TR
SISF20DN-T1-GE3DKR
SISF20DN-T1-GE3CT
2266-SISF20DN-T1-GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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