Hersteller Produktnummer:
SIS890ADN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIS890ADN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 7.6A (Ta), 24.7A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
795 Stück Neu Original Auf Lager
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SIS890ADN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1330 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer
SIS890
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIS890ADN-T1-GE3TR
742-SIS890ADN-T1-GE3DKR
742-SIS890ADN-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDMC86160ET100
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
9913
TEILNUMMER
FDMC86160ET100-DG
Einheitspreis
0.98
ERSATZART
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