Hersteller Produktnummer:
SIS414DN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIS414DN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.4W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
12786659
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SIS414DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
795 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.4W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer
SIS414
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIS414DNT1GE3
SIS414DN-T1-GE3DKR
SIS414DN-T1-GE3CT
SIS414DN-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RQ3E100MNTB1
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
5261
TEILNUMMER
RQ3E100MNTB1-DG
Einheitspreis
0.40
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E080BNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
40431
TEILNUMMER
RQ3E080BNTB-DG
Einheitspreis
0.10
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SISA88DN-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
36506
TEILNUMMER
SISA88DN-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.14
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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