Hersteller Produktnummer:
SIRA36DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIRA36DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 40A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
3028 Stück Neu Original Auf Lager
12917000
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIRA36DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2815 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIRA36
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIRA36DP-T1-GE3CT
SIRA36DP-T1-GE3TR
SIRA36DP-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIHB4N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A D2PAK
SI7806ADN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
VS-FB190SA10
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227