Hersteller Produktnummer:
SIR802DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIR802DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 30A (Tc) 4.6W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12919687
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SIR802DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1785 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
4.6W (Ta), 27.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR802
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIR802DP-T1-GE3CT
SIR802DP-T1-GE3DKR
SIR802DPT1GE3
SIR802DP-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSC046N02KSGAUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
19920
TEILNUMMER
BSC046N02KSGAUMA1-DG
Einheitspreis
0.55
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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