SIR692DP-T1-RE3
Hersteller Produktnummer:

SIR692DP-T1-RE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIR692DP-T1-RE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 24.2A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

3127 Stück Neu Original Auf Lager
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SIR692DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
ThunderFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 7.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1405 pF @ 125 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR692

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIR692DP-T1-RE3
HTML-Datenblatt
SIR692DP-T1-RE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIR692DP-T1-RE3CT
SIR692DP-T1-RE3TR
SIR692DP-T1-RE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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