SIR680ADP-T1-RE3
Hersteller Produktnummer:

SIR680ADP-T1-RE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIR680ADP-T1-RE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 30.7A (Ta), 125A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

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SIR680ADP-T1-RE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30.7A (Ta), 125A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4415 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR680

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIR680ADP-T1-RE3CT
742-SIR680ADP-T1-RE3DKR
742-SIR680ADP-T1-RE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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