Hersteller Produktnummer:
SIR642DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIR642DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12786976
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SIR642DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4155 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR642
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIR642DP-T1-GE3TR
SIR642DPT1GE3
SIR642DP-T1-GE3CT
SIR642DP-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSC022N04LSATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
18064
TEILNUMMER
BSC022N04LSATMA1-DG
Einheitspreis
0.52
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SIR470DP-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
6457
TEILNUMMER
SIR470DP-T1-GE3-DG
Einheitspreis
1.11
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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